Micron в июле 2026 года начала строительство нового завода по производству чипов памяти в японской Хиросиме. Общая стоимость проекта около $9,3 млрд, из которых треть, порядка $3,45 млрд, покрывает правительство Японии.

Предприятие будет выпускать преимущественно многослойную оперативную память с высокой пропускной способностью прежде всего для ИИ-ускорителей. Массовый выпуск продукции планируется запустить не раньше второй половины 2028 года.

Это уже не первая крупная стройка Micron за последнее время: компания также возводит два завода в родном Бойсе (Айдахо) и с января 2026 года закладывает фундамент под комплекс на $100 млрд в штате Нью-Йорк всё в рамках наращивания производства DRAM в США на фоне взрывного спроса со стороны индустрии ИИ.

Отраслевая организация World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) пересмотрела прогноз продаж чипов в 2026 году в сторону радикального увеличения. Если в декабре 2025 года аналитики ждали роста около 22,5%, то теперь ориентир поднят почти до 90% итоговый объём рынка должен составить 1,511 триллиона долларов. Это вдвое больше, чем ещё совсем недавно казалось реалистичным.

Главный драйвер чипы памяти. WSTS прогнозирует, что сегмент DRAM и NAND вырастет примерно на 250% и превысит 800 миллиардов долларов к концу 2026 года. Взрывной спрос со стороны ИИ-инфраструктуры и дата-центров поднял цены на HBM и серверную DRAM до рекордных значений, а производственные мощности законтрактованы на годы вперёд.

В региональном разрезе цифры тоже впечатляют. Северная и Южная Америка ожидают роста продаж более чем вдвое на 112%, что объясняется концентрацией спроса на ИИ-чипы и масштабными инвестициями в облачную инфраструктуру. Азиатско-Тихоокеанский регион прибавит около 87%, Европа 58%, Япония — 28%.

Отдельно стоит отметить первый квартал 2026 года. Аналитическая компания Omdia зафиксировала квартальный рост выручки полупроводниковых компаний на 27% самый высокий показатель за всё время ведения наблюдений с 2002 года. На долю памяти пришлось более 40% всех продаж отрасли, хотя исторически эта цифра держалась около 20%.

Если смотреть дальше, WSTS ожидает продолжения бума: в 2027 году мировой рынок полупроводников прибавит ещё около 27% и перешагнёт отметку в 1,9 триллиона долларов. Полупроводниковая индустрия всё стремительнее превращается в одну из крупнейших отраслей мировой экономики наравне с нефтью и автомобилестроением.

Производитель чипов памяти Micron Technology опубликовал отчёт за третий финансовый квартал 2026 года, и цифры там откровенно сумасшедшие. Выручка достигла 41,5 миллиарда долларов это пятый рекордный квартал подряд, а аналитики ждали лишь 35,7 млрд. Чистая прибыль составила 28,9 млрд долларов при валовой марже 84,9%. Показатель, о котором в Micron ещё пять лет назад могли только мечтать.

Главный двигатель роста — это высокопропускная память HBM (High Bandwidth Memory), без которой сегодня не обходится ни один серьёзный ИИ-ускоритель. Спрос на неё настолько превышает предложение, что Micron уже законтрактовала всё производство HBM3E и HBM4 вплоть до конца 2027 года, а интерес покупателей распространяется на 2028-й.

Самая интересная деталь из отчёта  16 стратегических соглашений с клиентами, большинство из которых действуют с 2026 по 2030 год. По условиям этих контрактов заказчики обязуются закупать заранее оговорённые объёмы памяти в фиксированном ценовом диапазоне. Глава Micron Санджай Мехротра отметил, что гарантированная минимальная цена в этих соглашениях обеспечивает маржу выше, чем в лучшие кварталы предыдущих циклов. Проще говоря, компания застраховала себя от традиционных обвалов цен на память.

Акции Micron отреагировали ростом на 15% на торгах после закрытия основной сессии и это после того, как бумаги уже были около исторических максимумов. На четвёртый квартал руководство даёт прогноз: выручка около 50 млрд долларов и маржа порядка 86%. Если реализуется рынок памяти окончательно перестанет быть цикличным бизнесом и превратится в монополию с контрактными гарантиями.

Для рядовых покупателей вся эта история означает одно: ждать удешевления оперативной памяти и SSD не стоит как минимум до 2028 года. ИИ-бум продолжает высасывать мощности производителей, оставляя потребительскому рынку лишь остатки с производственных линий.

По прогнозу Omdia, поставки смартфонов в 2026 году упадут на 7%, а при дальнейшем росте давления со стороны памяти и геополитической нестабильности снижение может превысить 15%. Главная причина — это структурный дефицит DRAM и NAND: производители памяти переориентируются на более прибыльный сегмент HBM для ИИ-ускорителей, сокращая объём поставок для потребительской электроники. Среднерозничная цена смартфона в 2026 году достигнет исторического максимума, что составит около $523.

Парадокс ситуации в том, что технологически смартфоны 2026 года лучшее поколение за всю историю: Apple A19 Pro, Snapdragon 8 Elite Gen 5, Samsung Exynos 2600 на 2 нм, полноценные ИИ-процессоры на всех флагманах. Но рынок сжимается не из-за недостатка инноваций, а из-за недостатка доступных компонентов. Первыми пострадали бюджетные сегменты смартфонов дешевле $100 в широкой рознице фактически не осталось.

По данным The Elec, Samsung произвела пластины на новом техпроцессе DRAM 10a в марте и подтвердила работоспособность кристаллов в ходе тестирования. Это самый тонкий узел для производства оперативной памяти в истории Samsung и один из наиболее передовых в мире: переход за отметку 10 нм в DRAM-производстве считается технически одним из самых сложных шагов в полупроводниковой индустрии.

Время для новости удачное: Samsung только что зафиксировала рекордную прибыль за квартал на фоне ажиотажного спроса на HBM-память для ИИ-ускорителей. Теперь компания демонстрирует, что параллельно не останавливает технологическое развитие стандартной DRAM. Более тонкий техпроцесс означает больше чипов с одной пластины, меньшую себестоимость и потенциально более высокую плотность готовых модулей памяти.

8 апреля аналитическая компания Gartner опубликовала прогноз: мировой рынок полупроводников в 2026 году достигнет 1,3 трлн долларов. Это рост на 64% год к году и третий подряд год двузначного роста — такого не случалось в отрасли два десятилетия. Ключевые локомотивы — чипы для ИИ-ускорителей, сетевое оборудование для дата-центров и память.

Обратная сторона бума — «мемфляция», термин, которым аналитики описывают инфляцию цен на чипы памяти. По прогнозу Gartner, цены на DRAM в 2026 году вырастут на 125%, а на флеш-накопители — на 234%. Потребители и корпоративный сектор ощутят это в виде подорожания ноутбуков, смартфонов и серверов. Аналитики предупреждают: CIO-директора и закупщики не должны подписывать долгосрочные контракты с текущими ценами — к 2027 году ситуация начнёт нормализоваться.

7 апреля Samsung Electronics объявила предварительные результаты первого квартала 2026 года: операционная прибыль составила около 57,2 трлн. вон — примерно $38 млрд. Это в восемь раз больше, чем за аналогичный период прошлого года, и больше, чем вся прибыль компании за весь 2025 год. Главный двигатель рекорда — память для ИИ-ускорителей: средние контрактные цены на DRAM в первом квартале выросли на 64%.

Samsung первой в мире начала коммерческие поставки памяти нового поколения HBM4, обогнав конкурента SK Hynix после нескольких лет догоняющей игры. По прогнозу Citigroup, годовая операционная прибыль Samsung в 2026 году может достичь 310 трлн вон — около $206 млрд.

Мировой рынок смартфонов переживает крупнейший кризис за десятилетие. Цены на чипы памяти DRAM и HBM почти удвоились только за первый квартал 2026 года — производители памяти массово переориентируются на поставки для дата-центров ИИ, оставляя отрасль смартфонов без комплектующих.

По прогнозу IDC, в 2026 году мировые продажи смартфонов упадут на рекордные 12,9% до 1,12 млрд устройств — минимум за более чем десять лет. Средняя цена аппарата вырастет на 14%, до исторического максимума в $523. Смартфонов дешевле $100 не останется вовсе. Отрасль, десятилетиями жившая за счёт доступного сегмента, оказалась заложником искусственного интеллекта, которому нужна та же самая память.

Компания Micron анонсировала 232-слойную NAND-память нового поколения в преддверии саммита по флэш-памяти, который состоится на следующей неделе в Калифорнии. 232-слойная NAND обладает самой высокой в отрасли скоростью ввода-вывода NAND 2,4 Гб/с и самой высокой плотностью NAND в мире. Плотность трехслойных ячеек флэш-памяти (TLC) составляет 14,6 Гб/мм2, что на 35%-100% больше, чем у конкурирующих TLC-продуктов.

Новая NAND от Micron отличается самым высоким количеством слоев, наибольшим количеством бит на квадратный миллиметр и самой высокой скоростью ввода/вывода. Она создана на основе предыдущей 176-слойной NAND компании Micron, а новая 232-слойная NAND хорошо подходит для целого ряда приложений, включая потребительские товары, мобильные устройства и многое другое. Устройство обещает на 100% более высокую пропускную способность записи, более чем на 75% более высокую пропускную способность чтения и 50% увеличение скорости передачи данных до 2,4 ГБ/с (шина ONFI). Эта производительность обеспечивается в корпусе меньших размеров (на 28%). Поскольку 232-слойная NAND на 28% меньше своей предшественницы, она хорошо подходит для тонких и легких ноутбуков. Аналогичным образом, новая NAND может использоваться в мобильных устройствах с ограниченным пространством и экономным энергопотреблением. Новая 232-слойная 3D NAND уже поставляется на некоторые твердотельные накопители марки Crucial, а дополнительные продукты на основе этой технологии появятся позднее в этом году.

NAND 232L состоит из пары 116-слойных дек. Это первый случай, когда Micron когда-либо производила одну деку с более чем 100 слоями. Благодаря большему количеству дек и большей плотности, NAND 232L является первой TLC-матрицей компании Micron емкостью 1 Тбит. Это означает, что Micron может производить чипы емкостью 2 ТБ, укладывая в стопку сразу 16 матриц 232L.

Создание новой флэш-памяти 3D NAND не так легко и это не простое добавление дополнительных слоев. Micron пишет: «Эти устройства могут быть сложными в изготовлении, требуя многих сотен отдельных процессов, чтобы превратить необработанную пластину в готовые матрицы или чипы». Наиболее сложной частью процесса является укладка слоев на большую высоту при сохранении однородности.

232-слойная NAND от Micron — это переломный момент для инноваций в области хранения данных, поскольку это первое доказательство возможности масштабирования 3D NAND до более чем 200 слоев в производстве», — сказал Скотт ДеБоер, исполнительный вице-президент по технологиям и продуктам Micron.

Когда смартфоны еще только набирали популярность, было время, когда карты памяти имели емкость не в гигабайтах, а в мегабайтах. На современном рынке этот показатель перевалил за терабайт, но, похоже, компания Micron намерена продвинуться еще дальше.

Она объявила о выпуске самой емкой в мире карты памяти microSD объемом 1,5 ТБ. Это стало возможным благодаря новой карте microSD i400, максимальная емкость которой достигает 1,5 ТБ, что является огромным объемом дополнительной памяти для электронных устройств, поддерживающих расширение памяти через слот для карт microSD.

Хотя, к сожалению, большинство современных смартфонов не поддерживают эту технологию, все же существует ряд других применений. Компании Micron удалось достичь рекордной емкости благодаря использованию 176-слойной технологии 3D NAND, которая также используется в твердотельных накопителях. Другими словами, это означает, что ячейки памяти укладываются друг на друга в трехмерном виде.

Однако это также означает, что новая карта памяти, вероятно, будет иметь довольно высокую цену, как минимум первое время. Это обычно происходит с большинством новых технологий, которые бьют рекорды. Но это также означает, что модели предыдущего поколения емкостью в «скромный» 1 ТБ вскоре станут более доступными.

Следует отметить, что сама карточка является достаточно быстрой и поддерживает большинство актуальных форматов скорости: Class 10, A2, U3 и UHS-I Class 1.