По итогам второго квартала 2026 года Samsung увеличила долю на рынке DRAM до 39%. Такого показателя компания не достигала с 2024 года. SK hynix за год потеряла позиции: с 39% до 26%. При этом её квартальная выручка выросла на 214% год к году, спрос на память просто огромный.

Micron почти сравнялась со вторым местом, добравшись до 25% рынка. По данным Counterpoint Research, компания растёт стабильно с самого начала бума ИИ во второй половине 2023 года.

Micron в июле 2026 года начала строительство нового завода по производству чипов памяти в японской Хиросиме. Общая стоимость проекта около $9,3 млрд, из которых треть, порядка $3,45 млрд, покрывает правительство Японии.

Предприятие будет выпускать преимущественно многослойную оперативную память с высокой пропускной способностью прежде всего для ИИ-ускорителей. Массовый выпуск продукции планируется запустить не раньше второй половины 2028 года.

Это уже не первая крупная стройка Micron за последнее время: компания также возводит два завода в родном Бойсе (Айдахо) и с января 2026 года закладывает фундамент под комплекс на $100 млрд в штате Нью-Йорк всё в рамках наращивания производства DRAM в США на фоне взрывного спроса со стороны индустрии ИИ.

Отраслевая организация World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) пересмотрела прогноз продаж чипов в 2026 году в сторону радикального увеличения. Если в декабре 2025 года аналитики ждали роста около 22,5%, то теперь ориентир поднят почти до 90% итоговый объём рынка должен составить 1,511 триллиона долларов. Это вдвое больше, чем ещё совсем недавно казалось реалистичным.

Главный драйвер чипы памяти. WSTS прогнозирует, что сегмент DRAM и NAND вырастет примерно на 250% и превысит 800 миллиардов долларов к концу 2026 года. Взрывной спрос со стороны ИИ-инфраструктуры и дата-центров поднял цены на HBM и серверную DRAM до рекордных значений, а производственные мощности законтрактованы на годы вперёд.

В региональном разрезе цифры тоже впечатляют. Северная и Южная Америка ожидают роста продаж более чем вдвое на 112%, что объясняется концентрацией спроса на ИИ-чипы и масштабными инвестициями в облачную инфраструктуру. Азиатско-Тихоокеанский регион прибавит около 87%, Европа 58%, Япония — 28%.

Отдельно стоит отметить первый квартал 2026 года. Аналитическая компания Omdia зафиксировала квартальный рост выручки полупроводниковых компаний на 27% самый высокий показатель за всё время ведения наблюдений с 2002 года. На долю памяти пришлось более 40% всех продаж отрасли, хотя исторически эта цифра держалась около 20%.

Если смотреть дальше, WSTS ожидает продолжения бума: в 2027 году мировой рынок полупроводников прибавит ещё около 27% и перешагнёт отметку в 1,9 триллиона долларов. Полупроводниковая индустрия всё стремительнее превращается в одну из крупнейших отраслей мировой экономики наравне с нефтью и автомобилестроением.

Производитель чипов памяти Micron Technology опубликовал отчёт за третий финансовый квартал 2026 года, и цифры там откровенно сумасшедшие. Выручка достигла 41,5 миллиарда долларов это пятый рекордный квартал подряд, а аналитики ждали лишь 35,7 млрд. Чистая прибыль составила 28,9 млрд долларов при валовой марже 84,9%. Показатель, о котором в Micron ещё пять лет назад могли только мечтать.

Главный двигатель роста — это высокопропускная память HBM (High Bandwidth Memory), без которой сегодня не обходится ни один серьёзный ИИ-ускоритель. Спрос на неё настолько превышает предложение, что Micron уже законтрактовала всё производство HBM3E и HBM4 вплоть до конца 2027 года, а интерес покупателей распространяется на 2028-й.

Самая интересная деталь из отчёта  16 стратегических соглашений с клиентами, большинство из которых действуют с 2026 по 2030 год. По условиям этих контрактов заказчики обязуются закупать заранее оговорённые объёмы памяти в фиксированном ценовом диапазоне. Глава Micron Санджай Мехротра отметил, что гарантированная минимальная цена в этих соглашениях обеспечивает маржу выше, чем в лучшие кварталы предыдущих циклов. Проще говоря, компания застраховала себя от традиционных обвалов цен на память.

Акции Micron отреагировали ростом на 15% на торгах после закрытия основной сессии и это после того, как бумаги уже были около исторических максимумов. На четвёртый квартал руководство даёт прогноз: выручка около 50 млрд долларов и маржа порядка 86%. Если реализуется рынок памяти окончательно перестанет быть цикличным бизнесом и превратится в монополию с контрактными гарантиями.

Для рядовых покупателей вся эта история означает одно: ждать удешевления оперативной памяти и SSD не стоит как минимум до 2028 года. ИИ-бум продолжает высасывать мощности производителей, оставляя потребительскому рынку лишь остатки с производственных линий.

По прогнозу Omdia, поставки смартфонов в 2026 году упадут на 7%, а при дальнейшем росте давления со стороны памяти и геополитической нестабильности снижение может превысить 15%. Главная причина — это структурный дефицит DRAM и NAND: производители памяти переориентируются на более прибыльный сегмент HBM для ИИ-ускорителей, сокращая объём поставок для потребительской электроники. Среднерозничная цена смартфона в 2026 году достигнет исторического максимума, что составит около $523.

Парадокс ситуации в том, что технологически смартфоны 2026 года лучшее поколение за всю историю: Apple A19 Pro, Snapdragon 8 Elite Gen 5, Samsung Exynos 2600 на 2 нм, полноценные ИИ-процессоры на всех флагманах. Но рынок сжимается не из-за недостатка инноваций, а из-за недостатка доступных компонентов. Первыми пострадали бюджетные сегменты смартфонов дешевле $100 в широкой рознице фактически не осталось.

По данным The Elec, Samsung произвела пластины на новом техпроцессе DRAM 10a в марте и подтвердила работоспособность кристаллов в ходе тестирования. Это самый тонкий узел для производства оперативной памяти в истории Samsung и один из наиболее передовых в мире: переход за отметку 10 нм в DRAM-производстве считается технически одним из самых сложных шагов в полупроводниковой индустрии.

Время для новости удачное: Samsung только что зафиксировала рекордную прибыль за квартал на фоне ажиотажного спроса на HBM-память для ИИ-ускорителей. Теперь компания демонстрирует, что параллельно не останавливает технологическое развитие стандартной DRAM. Более тонкий техпроцесс означает больше чипов с одной пластины, меньшую себестоимость и потенциально более высокую плотность готовых модулей памяти.

8 апреля аналитическая компания Gartner опубликовала прогноз: мировой рынок полупроводников в 2026 году достигнет 1,3 трлн долларов. Это рост на 64% год к году и третий подряд год двузначного роста — такого не случалось в отрасли два десятилетия. Ключевые локомотивы — чипы для ИИ-ускорителей, сетевое оборудование для дата-центров и память.

Обратная сторона бума — «мемфляция», термин, которым аналитики описывают инфляцию цен на чипы памяти. По прогнозу Gartner, цены на DRAM в 2026 году вырастут на 125%, а на флеш-накопители — на 234%. Потребители и корпоративный сектор ощутят это в виде подорожания ноутбуков, смартфонов и серверов. Аналитики предупреждают: CIO-директора и закупщики не должны подписывать долгосрочные контракты с текущими ценами — к 2027 году ситуация начнёт нормализоваться.

7 апреля Samsung Electronics объявила предварительные результаты первого квартала 2026 года: операционная прибыль составила около 57,2 трлн. вон — примерно $38 млрд. Это в восемь раз больше, чем за аналогичный период прошлого года, и больше, чем вся прибыль компании за весь 2025 год. Главный двигатель рекорда — память для ИИ-ускорителей: средние контрактные цены на DRAM в первом квартале выросли на 64%.

Samsung первой в мире начала коммерческие поставки памяти нового поколения HBM4, обогнав конкурента SK Hynix после нескольких лет догоняющей игры. По прогнозу Citigroup, годовая операционная прибыль Samsung в 2026 году может достичь 310 трлн вон — около $206 млрд.

Мировой рынок смартфонов переживает крупнейший кризис за десятилетие. Цены на чипы памяти DRAM и HBM почти удвоились только за первый квартал 2026 года — производители памяти массово переориентируются на поставки для дата-центров ИИ, оставляя отрасль смартфонов без комплектующих.

По прогнозу IDC, в 2026 году мировые продажи смартфонов упадут на рекордные 12,9% до 1,12 млрд устройств — минимум за более чем десять лет. Средняя цена аппарата вырастет на 14%, до исторического максимума в $523. Смартфонов дешевле $100 не останется вовсе. Отрасль, десятилетиями жившая за счёт доступного сегмента, оказалась заложником искусственного интеллекта, которому нужна та же самая память.

Компания Micron анонсировала 232-слойную NAND-память нового поколения в преддверии саммита по флэш-памяти, который состоится на следующей неделе в Калифорнии. 232-слойная NAND обладает самой высокой в отрасли скоростью ввода-вывода NAND 2,4 Гб/с и самой высокой плотностью NAND в мире. Плотность трехслойных ячеек флэш-памяти (TLC) составляет 14,6 Гб/мм2, что на 35%-100% больше, чем у конкурирующих TLC-продуктов.

Новая NAND от Micron отличается самым высоким количеством слоев, наибольшим количеством бит на квадратный миллиметр и самой высокой скоростью ввода/вывода. Она создана на основе предыдущей 176-слойной NAND компании Micron, а новая 232-слойная NAND хорошо подходит для целого ряда приложений, включая потребительские товары, мобильные устройства и многое другое. Устройство обещает на 100% более высокую пропускную способность записи, более чем на 75% более высокую пропускную способность чтения и 50% увеличение скорости передачи данных до 2,4 ГБ/с (шина ONFI). Эта производительность обеспечивается в корпусе меньших размеров (на 28%). Поскольку 232-слойная NAND на 28% меньше своей предшественницы, она хорошо подходит для тонких и легких ноутбуков. Аналогичным образом, новая NAND может использоваться в мобильных устройствах с ограниченным пространством и экономным энергопотреблением. Новая 232-слойная 3D NAND уже поставляется на некоторые твердотельные накопители марки Crucial, а дополнительные продукты на основе этой технологии появятся позднее в этом году.

NAND 232L состоит из пары 116-слойных дек. Это первый случай, когда Micron когда-либо производила одну деку с более чем 100 слоями. Благодаря большему количеству дек и большей плотности, NAND 232L является первой TLC-матрицей компании Micron емкостью 1 Тбит. Это означает, что Micron может производить чипы емкостью 2 ТБ, укладывая в стопку сразу 16 матриц 232L.

Создание новой флэш-памяти 3D NAND не так легко и это не простое добавление дополнительных слоев. Micron пишет: «Эти устройства могут быть сложными в изготовлении, требуя многих сотен отдельных процессов, чтобы превратить необработанную пластину в готовые матрицы или чипы». Наиболее сложной частью процесса является укладка слоев на большую высоту при сохранении однородности.

232-слойная NAND от Micron — это переломный момент для инноваций в области хранения данных, поскольку это первое доказательство возможности масштабирования 3D NAND до более чем 200 слоев в производстве», — сказал Скотт ДеБоер, исполнительный вице-президент по технологиям и продуктам Micron.