TSMC опубликовала финансовые результаты за первый квартал 2026 года. Выручка достигла $35,9 млрд — рост на 35% год к году. Чистая прибыль увеличилась на 58% и также обновила исторический максимум. Рентабельность по чистой прибыли составила рекордные 50,5%. Компания повысила прогноз по выручке на весь 2026 год: теперь ожидается рост более чем на 30% в долларах. Это восьмой квартал подряд двузначного роста прибыли.

Двигатель результатов — один и тот же: искусственный интеллект. Сегмент высокопроизводительных вычислений, включающий ИИ-ускорители и 5G-чипы, уже составляет 61% всей выручки TSMC. Чипы на узле 3 нм принесли четверть всей выручки компании — три года назад эта цифра составляла лишь 6%. Генеральный директор Вэй Чжэцзя охарактеризовал спрос на ИИ-чипы как «чрезвычайно устойчивый» и заявил, что мощности компании по-прежнему распроданы. Капитальные расходы на 2026 год выйдут к верхней границе прогнозного диапазона в $52–56 млрд. Акции TSMC с начала года выросли примерно на 35%, рыночная капитализация — около $1,7 трлн.

8 апреля CNBC опубликовала расследование, обращающее внимание на следующий системный риск для ИИ-индустрии: продвинутая упаковка чипов. Nvidia зарезервировала большую часть мощностей TSMC по технологии CoWoS (Chip on Wafer on Substrate) — именно этот процесс объединяет процессоры и высокоскоростную память HBM в единый модуль. Без этого этапа мощные ИИ-ускорители просто не работают. По данным CNBC, CoWoS у TSMC растёт со скоростью 80% в год, но спрос обгоняет предложение.

Парадоксальная ситуация: даже чипы, произведённые в США на заводе TSMC в Аризоне, сейчас отправляются обратно на Тайвань для упаковки — локальных мощностей в Штатах просто нет. TSMC строит два упаковочных предприятия в Аризоне, Intel наращивает компетенции в этом направлении и ведёт переговоры с Nvidia о возможности выполнять упаковку для её чипов. Именно упаковка, а не производство кремния, может оказаться главным ограничением роста ИИ в ближайшие годы.

По данным аналитиков, TSMC столкнулась с тотальным дефицитом мощностей на узле 3 нм: производство распродано вперёд вплоть до 2028 года. В ответ компания ускоряет строительство кластера GigaFab в Аризоне — комплекса из шести заводов, двух корпусных линий и R&D-центра с суммарными инвестициями $165 млрд. Apple уже договорилась о поставке более 100 млн чипов с аризонского производства в 2026 году.

Одновременно Broadcom предупредил инвесторов, что мощности TSMC становятся узким местом даже для производства специализированных ИИ-ускорителей. Это ускоряет реализацию инициатив по диверсификации: Samsung разворачивает производство в Тейлоре, Техас, а Intel активно достраивает Fab 52 в Чандлере, Аризона. Несмотря на то, что «полупроводниковая» карта мира перекраивается, в краткосрочной перспективе дефицит никуда не девается.

Нидерландская компания ASML передала бельгийскому исследовательскому центру imec первую в мире литографическую машину нового поколения — EXE:5200 с технологией High-NA EUV. Стоимость одного такого устройства превышает $380 млн. Одновременно ASML закрыла контракт с SK Hynix на поставку оборудования стоимостью $8 млрд — крупнейшую сделку в истории компании.

High-NA EUV необходима для производства чипов по техпроцессам ниже 2 нм: без неё физически невозможно нанести узоры с требуемой точностью. Intel уже получила несколько таких машин для подготовки к выпуску узла 14A. TSMC пока выжидает, планируя интеграцию High-NA не раньше 2026–2027 года на узле A14. Тот, кто освоит эти машины первым и с лучшим выходом годных чипов, определит полупроводниковое лидерство следующего десятилетия.

Представьте типичную ситуацию: владелец нового Samsung Galaxy S25 Ultra с гордостью демонстрирует свой смартфон. Оболочка One UI — великолепна, функции искусственного интеллекта — впечатляют. Но стоит упомянуть, что внутри стоит процессор Exynos, и энтузиазм собеседника мгновенно сменяется сочувственным молчанием.

Таково отношение к мобильным процессорам Samsung, сложившееся за годы разочарований. Чипы Exynos печально известны склонностью к перегреву, троттлингу и повышенному энергопотреблению. Клиенты массово уходят к TSMC. Производственные мощности Samsung простаивают. Миллиарды долларов буквально испаряются.

И тем не менее, каждый год Samsung выходит на сцену с неизменным заявлением: «Мы всё исправили. Теперь Exynos — в полном порядке».

2025 год не стал исключением. Однако на этот раз ситуация принципиально иная — сама Samsung находится не в том положении, чтобы позволить себе очередной провал.

Ставки как никогда высоки

Под угрозой находится не просто репутация линейки Exynos, а всё полупроводниковое подразделение корпорации. Положение дел настолько серьёзное, что в отраслевых кругах всерьёз обсуждается возможность продажи этого бизнеса.

Именно поэтому корейская корпорация делает ставку на единственный продукт, от которого зависит буквально всё. Речь идёт об Exynos 2600 — первом в мире мобильном процессоре, произведённом по 2-нанометровому техпроцессу с революционной архитектурой транзисторов и встроенной системой охлаждения непосредственно внутри чипа.

Разберёмся подробнее: в чём заключаются преимущества нового Exynos? В каких аспектах Samsung превосходит TSMC? И удастся ли корейцам совершить невозможное?

Samsung: уникальный игрок с неоднозначными результатами

Следует признать: Samsung представляет собой уникальную компанию в мире полупроводников.

Структура полупроводниковой индустрии

В мире производства чипов традиционно существует два типа бизнес-моделей.

Fabless-компании — это организации, не имеющие собственных производственных мощностей. К ним относятся:

• AMD
• NVIDIA
• Apple
• Qualcomm
• Broadcom
• MediaTek

Эти компании специализируются исключительно на проектировании чипов, а производство осуществляется на мощностях сторонних подрядчиков.

Pure-play foundries — это, по сути, чистые контрактные производители:

• TSMC
• SMIC
• UMC
• GlobalFoundries

Они не разрабатывают собственные чипы, а выполняют заказы на производство чужих изделий.

IDM: редкая категория

Однако существуют два редких исключения — Intel и Samsung. Это так называемые IDM-компании (Integrated Device Manufacturer), которые одновременно разрабатывают архитектуру чипов и производят их на собственных фабриках.

При этом в отличие от Intel, Samsung — нечто большее, чем просто производитель процессоров. Компания создаёт практически весь спектр комплектующих:

• OLED-дисплеи
• сенсоры камер
• модемы
• аккумуляторные батареи
• контроллеры
• и множество других критически важных компонентов

По сути, это самая вертикально интегрированная технологическая компания в мире. Под одной крышей сосредоточены лучшие инженеры с экспертизой во всех областях, обширный патентный портфель, самые передовые линии литографии и полный контроль над всей цепочкой создания продукта — от идеи до финального изделия.

С такими исходными данными у Samsung, казалось бы, не должно быть серьёзных конкурентов. Однако это справедливо лишь в теории.

На практике что-то у Samsung действительно получается превосходно — например, дисплеи. Но в других областях результаты оставляют желать лучшего. И если один из критически важных компонентов даёт сбой — под угрозой оказывается вся конструкция. Именно такая ситуация сложилась с полупроводниковым подразделением Samsung.

Трещина в фундаменте

Ключевой показатель: выход годных

В мире производства чипов существует один ключевой показатель — yield, или выход годных. По существу, это процент брака, взятый наоборот.

Принцип прост: берётся одна кремниевая пластина, на которой размещается условно 100 чипов. Если 90 из них функционируют корректно — значит, yield составляет 90%, а брак — 10%.

Так вот, на текущий момент у 3-нанометрового техпроцесса Samsung выход годных составляет около 50%. По меркам индустрии это настоящая катастрофа.

Для сравнения: TSMC к середине 2025 года достигла показателя выше 90%.

Но это лишь половина проблемы. Даже те чипы Samsung, которые успешно проходят контроль качества, не оправдывают ожиданий: они склонны к перегреву, хуже держат рабочие частоты и уступают по энергоэффективности.

Исход клиентов

В результате 3-нанометровые процессоры от Samsung оказались фактически невостребованными.

Крупные заказчики — Qualcomm, Google и другие — оценили ситуацию и ушли к TSMC. Тайваньская компания контролирует порядка 70% рынка контрактного производства чипов. Samsung же потерпел сокрушительное поражение как контрактный производитель.

Техасский завод: символ кризиса

Наиболее яркой иллюстрацией происходящего служит новый завод Samsung в Тейлоре, штат Техас. В этот проект вложено 44 миллиарда долларов инвестиций.

Казалось бы, идеальное место для возвращения клиентов и статуса технологического лидера. Чипы здесь должны были производиться в огромных количествах. Офисы Google, Qualcomm и Apple расположены буквально по соседству.

Однако реальность оказалась иной: запуск завода перенесён с 2024 года на 2026-й, и нет никакой гарантии, что это последний перенос.

Причина банальна — отсутствие клиентов. Пока Samsung строила завод, ведущие заказчики — Apple, NVIDIA и другие — уже заняли очередь к TSMC. И эта очередь расписана на годы вперёд.

Кто же остался у Samsung? Tesla с чипами для автопилота и… китайские производители ASIC-устройств (интегральных схем специального назначения) для майнинга криптовалют.

Это примерно как построить ресторан высокой кухни, а в итоге торговать лапшой быстрого приготовления.

И словно этого мало: по имеющимся сведениям, в фундаменте завода обнаружены трещины — не метафорические, а вполне реальные. А для производства чипов, где критична даже вибрация от пролетающего насекомого, трещины в полу означают серьёзнейшие проблемы.

Точка невозврата

В этот момент руководство Samsung оказалось буквально прижато к стене. Без права на очередную ошибку. И тогда было принято решение сделать ставку на один-единственный продукт.

Он должен не просто вернуть заказчиков и восстановить репутацию компании, но и спасти всё подразделение от продажи. Этот продукт — Exynos 2600.

Новые транзисторы MBCFET: преимущество аутсайдера

Парадокс лидерства

TSMC — безусловный лидер рынка. Фактически монополист. И, как ни парадоксально, это положение имеет серьёзный недостаток: тайваньская компания не может позволить себе рисковать.

TSMC необходимо год за годом выдавать предсказуемый результат: высокий yield, стабильное качество, никаких неожиданностей. Когда компания производит чипы для Apple, NVIDIA и половины планеты — эксперименты становятся опасными.

У Samsung же ситуация прямо противоположная. Терять им уже практически нечего.

Корейская корпорация может позволить себе любые эксперименты. И даже если их разработки никто не приобретёт, они используют их в собственных продуктах.

Революция в архитектуре транзисторов

Именно так появился Exynos 2600 — первый мобильный чип, произведённый по техпроцессу 2 нм с транзисторами нового поколения MBCFET и встроенной системой охлаждения.

Эволюция от FinFET к GAA

Долгие годы индустрия развивалась на архитектуре FinFET. Это вертикальные структуры — «плавники», вокруг которых затвор охватывает канал с трёх сторон.

Решение превосходное, но имеющее физический предел. Чем тоньше становится «плавник» — тем хуже контроль над током, выше токи утечки, нагрев и нестабильность работы.

Когда FinFET достиг своего потолка, появилась новая концепция — GAA (Gate-All-Around).

Вместо одного «плавника» здесь используется несколько тончайших нанолистов, по которым протекает ток. И каждый из них полностью контролируется затвором.

В чём принципиальное отличие? В архитектуре GAA затвор охватывает канал со всех четырёх сторон. Благодаря этому транзистор значительно точнее контролирует ток: утечки снижаются, эффективность возрастает.

Samsung — пионеры технологии

Важно отметить, что Samsung является пионером этой технологии. Ещё в 2022 году именно эта компания первой в индустрии запустила массовое производство 3-нанометровых чипов с архитектурой GAA.

А в Exynos 2600 используется уже второе поколение технологии — на 2-нанометровом техпроцессе. И снова — первые на рынке.

Свою реализацию Samsung называет MBCFET — Multi-Bridge Channel FET (полевой транзистор с многомостовым каналом).

Во втором поколении нанолисты сделаны шире, затворный стек — стабильнее, плотность транзисторов — выше. Фактически технология доведена до зрелого состояния.

Это не косметическая доработка, а одно из самых серьёзных изменений в архитектуре транзисторов за последние 10–15 лет.

Но на этом в Samsung не остановились.

Система охлаждения Heat Path Block: радиатор внутри чипа

Проблема перегрева

Самая сложная задача при создании современного чипа — не сделать его мощным, а обеспечить работу без превращения в нагревательный прибор.

Пользователи уже привыкли, что с каждым годом процессоры становятся мощнее, горячее и всё сильнее подвержены троттлингу (принудительному снижению частоты из-за перегрева).

Чтобы хоть как-то справиться с этой проблемой, производители устанавливают в корпуса смартфонов медные пластины для отвода тепла, испарительные камеры и даже активное жидкостное охлаждение. В игровых смартфонах нередко можно встретить и миниатюрные вентиляторы.

Нестандартное решение Samsung

В Samsung приняли неожиданное решение: встроить охлаждение не в смартфон, а непосредственно в сам чип. Технология получила название Heat Path Block (HPB) — «блок теплового пути».

По сути, это сверхкомпактная медная пластина-радиатор, интегрированная прямо в корпус процессора. Звучит радикально, но это действительно изящное инженерное решение.

В предыдущих поколениях оперативная память (DRAM) располагалась непосредственно поверх процессора, что препятствовало эффективному отводу тепла.

В Exynos 2600 Samsung сместила память в сторону, а на освободившееся место установила теплоотводящий элемент.

Результаты

По заявлениям Samsung, это позволило снизить тепловое сопротивление на 16%, а среднюю температуру чипа — почти на 30% по сравнению с предыдущим поколением.

Это означает меньше троттлинга и стабильную производительность — именно то, чего так не хватало предыдущим поколениям Exynos.

По информации отраслевых источников, технология HPB оказалась настолько удачной, что Apple и Qualcomm рассматривают возможность её лицензирования.

Всё выглядит многообещающе, однако остаётся одна важная деталь: жизнеспособность технологии ещё предстоит доказать на практике. Именно для этого и создан Exynos 2600.

Exynos 2600: технические характеристики

Помимо 2-нанометрового техпроцесса, новый процессор содержит множество интересных решений.

Центральный процессор

Прежде всего, здесь применена необычная конфигурация CPU: 1 + 3 + 6. Всего десять ядер — вместо привычных восьми:

• Одно ядро C1-Ultra с частотой до 3,8 ГГц (для пиковой производительности)
• Три ядра C1-Pro с частотой до 3,25 ГГц (для ресурсоёмких задач)
• Шесть энергоэффективных ядер с частотой 2,75 ГГц (для фоновых операций)

По словам Samsung, такая архитектура обеспечивает прирост производительности CPU на 39% по сравнению с Exynos 2500.

Графический процессор

Новый GPU Xclipse 960 построен на базе архитектуры AMD RDNA 4 (Samsung использует собственное обозначение MGFX 4).

Заявленные характеристики:

• Двукратный рост вычислительной мощности по сравнению с Exynos 2500
• Улучшение производительности трассировки лучей на 50%

Кроме того, реализован собственный аналог технологии DLSS — Exynos Neural Super Sampling (ENSS). Масштабирование изображения с помощью искусственного интеллекта в смартфонах — действительно перспективное направление.

Обработка изображений

Обновлён и ISP — процессор обработки изображений. Он поддерживает:

• Сенсоры разрешением до 320 мегапикселей
• Запись видео в 8K при 30 кадрах в секунду
• Запись видео в 4K при 120 кадрах в секунду
• Использование фирменного кодека Samsung APV

Искусственный интеллект

Новый NPU (нейронный процессор), по заявлениям Samsung, обеспечивает прирост производительности в задачах генеративного ИИ на 113% по сравнению с Exynos 2500.

Это существенно, поскольку функции искусственного интеллекта являются одной из сильных сторон оболочки One UI. Теперь всё больше подобных задач будет выполняться локально, непосредственно на устройстве, а не в облаке.

Что известно о реальной производительности?

На бумаге характеристики выглядят впечатляюще. Но что на практике?

Если кратко — достоверных данных пока недостаточно. На текущий момент имеется лишь две утечки, датируемые августом 2025 года.

Первая — результаты Geekbench, где Exynos 2600 демонстрирует показатели примерно на уровне флагманов текущего поколения. Ничего революционного.

Вторая — заявление отраслевого источника о том, что Exynos 2600 якобы на 59% энергоэффективнее предполагаемого Apple A19 Pro. Это звучит слишком оптимистично, чтобы принимать без здорового скептицизма.

Объективную оценку можно будет дать только после тестирования новых устройств Galaxy. К счастью, анонс уже близок.

Производственные показатели

Одно известно достоверно: массовое производство Exynos 2600 уже запущено. Выход годных составляет стабильные 60%.

Для первого поколения 2-нанометрового техпроцесса это вполне достойный результат — если, конечно, не сравнивать с TSMC.

Гонка продолжается

В конце декабря 2025 года тайваньская TSMC вступила в гонку за 2-нанометровый техпроцесс. Компания запустила крупносерийное производство по технологии N2 с заявленным выходом годных до 80%.

Но есть существенный нюанс: TSMC тоже перешла на архитектуру Gate-All-Around. Однако для тайваньцев это первая попытка освоить новую технологию, тогда как Samsung уже имеет накопленный опыт. Исход этого соревнования ещё предстоит выяснить.

В любом случае Samsung по-прежнему участвует в технологической гонке, и это позитивный сигнал для всей индустрии. Конкуренция всегда предпочтительнее монополии.

Заключение

Exynos 2600 — это не просто очередной мобильный процессор. Это последний шанс Samsung доказать, что корпорация способна конкурировать на переднем крае полупроводниковых технологий.

Техпроцесс 2 нм, архитектура MBCFET второго поколения, интегрированная система охлаждения Heat Path Block — всё это звучит многообещающе. Но индустрия уже слышала от Samsung немало обещаний, которые не были выполнены.

На этот раз ставки несравнимо выше. Провал может означать продажу целого направления бизнеса. Успех — возвращение в высшую лигу производителей полупроводников.

Ответ на вопрос, удалось ли Samsung наконец создать действительно конкурентоспособный чип, мы получим совсем скоро — с выходом новых устройств линейки Galaxy.

 

Как на самом деле создаются современные процессоры? Этот процесс невероятно сложен и увлекателен, а ключевую роль в нем играет технология, известная как экстремальная ультрафиолетовая (УФ) литография. В этой статье мы глубоко разберемся в этой «магии» технологий, опираясь на актуальные данные по состоянию на октябрь (ноябрь?-когда выйдет статья*) 2025 года. Мы рассмотрим, как работает фотолитография в целом, почему переход к экстремальной УФ-литографии стал революцией, и какую роль играет европейская компания, стоящая за всеми ведущими производителями чипов, такими как Apple, AMD, Intel, Qualcomm и Samsung. Без этой компании новых процессоров просто не существовало бы.

К сожалению, это не компания, которую вы могли бы сразу угадать. Давайте разберемся шаг за шагом.

Что такое фотолитография простыми словами?

Чтобы понять суть экстремальной УФ-литографии, сначала нужно разобраться, что такое фотолитография в принципе. Этот процесс по своей сути напоминает печать фотографий с пленочных негативов на фотобумагу. Если это звучит неожиданно, то сейчас все станет ясно.

Как фотолитография работает?

Начнем с простого примера. Представьте, что вы берете прозрачное стекло и наносите на него какой-то геометрический рисунок, оставляя при этом некоторые участки без краски. По сути, это трафарет. Если приложить этот кусок стекла к фонарику и включить его, на поверхности напротив вы получите ровно тот же рисунок в виде тени, который нанесли на стекло.

В производстве процессоров такой кусок стекла с рисунком называется маской (photomask). Маска позволяет создавать на поверхности любого материала «засвеченные» и «незасвеченные» участки любой плоской формы. Однако это всего лишь тень — теперь нужно каким-то образом зафиксировать этот рисунок.

Для этого на поверхность кремниевой пластины наносится специальный светочувствительный слой, называемый фоторезистом. Это вещество меняет свои свойства, когда на него попадает свет определенной частоты, то есть определенной длины волны (для простоты мы не углубляемся в детали позитивных и негативных фоторезистов, как на уроке физической химии).

После засветки нужных участков на кремнии их можно удалить, оставив нетронутыми незасвеченные области. В результате получается желаемый рисунок. Это и есть фотолитография!

Конечно, помимо фотолитографии в производстве процессоров задействованы и другие процессы, такие как травление и осаждение. Комбинацией этих методов вместе с фотолитографией транзисторы «печатаются» слой за слоем на кремнии.

Сама концепция технологии не нова, с 1960-х годов почти все процессоры производятся с помощью фотолитографии. Именно она открыла путь к полевым транзисторам и всей современной микроэлектронике.

Но настоящий прорыв произошел относительно недавно — с переходом на EUV (экстремальную УФ-литографию). Все дело в длине волны света в 13,5 нм. Давайте разберемся подробнее.

Какая роль длины волны в литографии: почему она определяет размер транзисторов?

Длина волны, на которой «светит» наш источник света (аналог фонарика), — это критически важный параметр. Именно она определяет, насколько маленькими могут быть элементы на кристалле процессора.

Правило простое: чем меньше длина волны, тем выше разрешение и тем меньше техпроцесс.

Обратите внимание на исторический контекст. Абсолютно все процессоры, начиная с начала 1990-х годов и до 2019 года, производились с использованием глубокой УФ-литографии (DUV — Deep Ultraviolet). Однако по состоянию на вторую половину 2025 года ситуация радикально изменилась: с 2019 года ведущие производители, такие как TSMC, Samsung и Intel, перешли на EUV для техпроцессов 7 нм и ниже. К 2025 году EUV стала стандартом для производства чипов на 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, а сейчас активно внедряется High-NA EUV (с повышенной числовой апертурой) для еще меньших узлов, таких как 1,8 нм (Intel 18A) и ниже. Например, TSMC находится в рисковом производстве N2 (2 нм), с массовым производством в конце 2025 или 2026 года, а Intel ожидает первых внешних клиентов на 18A в первой половине 2025 года.

DUV-литография основана на использовании фторид-аргонового лазера, который испускает свет с длиной волны 193 нм. Этот свет лежит в области глубокого ультрафиолета — отсюда название. Он проходит через систему линз, маску и попадает на кристалл, покрытый фоторезистом, создавая необходимый рисунок.

Но у DUV есть фундаментальные ограничения, связанные с законами физики. Минимальный размер структуры (critical dimension, CD) определяется формулой:

CD = k₁ × λ / NA, где λ — длина волны, NA — числовая апертура линзы, а k₁ — коэффициент, зависящий от процесса.

С использованием «старой» DUV-литографии без хитростей нельзя получить структуры меньше примерно 50 нм. Однако производители преодолели это, используя иммерсионную литографию (с водой для повышения NA до 1,35) и множественное экспонирование (несколько масок и засветов). Благодаря этому они достигли 14 нм, 10 нм и даже 7 нм на DUV.

Но по состоянию на 30 октября 2025 года DUV все еще используется для более зрелых техпроцессов (например, 28 нм и выше), в то время как для передовых узлов (3 нм и меньше) доминирует EUV.

Какие есть ограничения DUV-литографии и преимущества множественного экспонирования?

Как же производители достигли меньших размеров на DUV? Они применили хитрости: вместо одного засвета через единую маску стали использовать несколько масок с разными рисунками, которые дополняют друг друга. Этот подход называется множественным экспонированием (multiple patterning), включая двойное, тройное и даже четверное.

Представьте это как слоеный пирог: каждый слой добавляет детали, но усложняет процесс.

Да, это обошло прямые физические ограничения, но не обмануло физику полностью. Дополнительные шаги сделали производство каждого чипа гораздо дороже, увеличили процент брака и создали другие проблемы. В теории можно продолжать с DUV, играя с масками и экспозициями, чтобы уменьшать размеры дальше, но это сделает процессоры «золотыми» — с каждым слоем брак растет экспоненциально, ошибки накапливаются.

По сути, DUV оказалась в тупике для дальнейшего миниатюризации. Что делать дальше?

Новая EUV-литография или революция в производстве процессоров от ASML

И здесь на помощь приходит экстремальная УФ-литография (EUV — Extreme Ultraviolet). Эта технология использует свет с длиной волны всего 13,5 нм, что позволяет создавать гораздо меньшие структуры с меньшим количеством масок — часто достаточно одной экспозиции. Взгляните на разницу, где явно видна точность в использовании технологии EUV!

По состоянию на октябрь 2025 года EUV полностью утвердилась в индустрии. TSMC использует ее для производства 3 нм чипов (например, для Apple A17 и M3), а также готовится к массовому выпуску 2 нм в конце 2025 года. Samsung применяет EUV для своих 3 нм GAA (Gate-All-Around) транзисторов и планирует 2 нм с использованием High-NA. Intel, отставший ранее, теперь активно внедряет EUV в 20A и 18A процессах (2 нм и 1,8 нм соответственно), с первыми внешними клиентами в первой половине 2025 года.

Более того, в 2025 году продолжается внедрение High-NA EUV — усовершенствованной версии с числовой апертурой 0,55 (против 0,33 в стандартной EUV). ASML, нидерландская компания — монополист в производстве EUV-оборудования, — уже поставила первые High-NA машины Intel в 2024 году, а Samsung ожидает доставку в 2025 году для ускорения 2 нм производства. TSMC планирует интегрировать High-NA в A14 (1,4 нм) около 2027 года, пока оптимизируя стандартную EUV для своего A16 (1,6 нм) процесса, запланированного на 2026 год. High-NA EUV обещает разрешение до 8 нм в одной экспозиции, что радикально снижает сложность и стоимость для суб-2 нм узлов. Планы ASML включают доставку 10 High-NA систем в 2027 году, каждая стоимостью около 380–400 млн долларов. В октябре 2025 года ASML отчиталась о сильных продажах и росте спроса на EUV, несмотря на появление конкурентов, таких как американский стартап Substrate, разрабатывающий X-ray литографию.

Теперь о том, как это работает на практике. Источник света в EUV — это не простой лазер, а сложная система: мощный CO2-лазер мощностью около 30 кВт (актуальные данные на 2025 год подтверждают диапазон 20–40 кВт для генерации EUV-излучения мощностью 250–500 Вт) в вакууме стреляет по капле расплавленного олова, превращая ее в плазму. Плазма излучает экстремальный УФ-свет на 13,5 нм. Этот свет отражается от многослойных зеркал (поскольку линзы поглощают EUV), проходит через маску и фокусируется на пластине.

Компания, стоящая за всем этим, — ASML из Нидерландов. Она единственная в мире производит EUV-машины, и без нее не было бы современных чипов от Apple (A-серия), AMD (Zen), Intel (Core), Qualcomm (Snapdragon) или Samsung (Exynos). ASML сотрудничает с Zeiss (для оптики) и Cymer (для лазеров), но именно ASML интегрирует все в готовые системы. По данным на осень 2025 года, ASML продолжает доминировать, несмотря на геополитические ограничения (например, экспорт в Китай ограничен из-за санкций США), и ее акции остаются ключевыми в технологическом секторе. В октябре 2025 года ASML назначила нового CTO и видит уверенный рост в EUV-продажах.

Заключение

Экстремальная УФ-литография не просто технология — это фундамент будущего микроэлектроники. Она позволила преодолеть барьеры DUV и открыла путь к чипам с миллиардами транзисторов на квадратном миллиметре. По мере внедрения High-NA EUV в 2025–2026 годах мы увидим еще более мощные процессоры для ИИ, смартфонов и суперкомпьютеров. Стоит понимать, что это не фантастика, будущее, которое стало реальностью, основанным на чистой физике и точных инженерных инновациях.

А вы знаете, какая технология производства процессоров сегодня на пике хайпа и считается самой передовой? 5 нанометров — это уже вчерашний день, 3 нанометра — звучит круто, но давайте разберёмся: или всё-таки есть что-то по-настоящему революционное, типа 2 нм или даже мельче? Забегая вперёд, сразу спойлерю: даже 3 нм давно не шокируют индустрию, это уже рутина для топовых чипов в смартфонах и серверах.

А вот настоящим прорывом пахнет свежая новость от тайваньской Taiwan Semiconductor Manufacturing Company — всем известной как TSMC. Не так давно они громко объявили о старте подготовки к массовому выпуску чипов по техпроцессу всего 1,6 нанометра. Представьте: транзисторы размером с атомы, энергоэффективность на новом уровне, и это уже не фантастика, а реальный план на ближайшие годы.

Для сравнения: первые микросхемы TSMC производились по технологии 3 микрометра, то есть 3000 нанометров. За несколько десятилетий компания прошла путь от микрометров до нанометров. Проще говоря для обывателя – разница в 1000 раз. Этим самым компания достигла предела, который ещё недавно казался невозможным.

В этой статье разберём техпроцесс 1,6 нм: что это такое, как TSMC его освоили и что в нём нового — от улучшенных транзисторов до умной подачи питания, которая изменит смартфоны и компьютеры.Знаете, какая технология чипов сейчас самая передовая? 5 нм — устарело, 3 нм — уже норма для топовых устройств. Но TSMC пошла дальше: они готовят массовое производство на 1,6 нм к концу 2026 года. Транзисторы станут мельче атомов, чипы — быстрее и экономичнее.Это стало возможно благодаря нанослоистым транзисторам и Super Power Rail — подаче питания сзади чипа, что повышает плотность на 8–10%. Intel развивает похожую идею под названием PowerVia. В TSMC называют свой чип «Микеланджело в кремнии» — настоящее инженерное чудо.

Переход от плоских к трёхмерным транзисторам. Как появилась PlanFET

Чтобы понять, почему 1,6 нанометра — это революция, нужно заглянуть внутрь процессора и рассмотреть его основную строительную единицу — транзистор.
Все современные чипы состоят из миллиардов таких миниатюрных переключателей, которые можно включать и выключать. Примерно до 2012 года в производстве использовались так называемые планарные транзисторы — PlanFET (Planar Field Effect Transistor).

У них была простая структура: между истоком и стоком находился канал, по которому протекал ток. Затвор выполнял роль управляющего элемента — изменяя его потенциал, можно было регулировать ток, словно поворачивая вентиль на водопроводной трубе.

Однако по мере уменьшения размеров инженеры столкнулись с серьёзными физическими ограничениями. Техпроцесс производства чипов, обозначаемый в нанометрах (нм), примерно соответствует длине затвора транзистора — ключевому параметру, определяющему размер канала и общую плотность элементов на кристалле (хотя это упрощённо: на деле техпроцесс — маркетинговый термин, не всегда точно равный физическому размеру). При длине затвора около 22 нанометров в плоских транзисторах канал становился настолько тонким, что электроны начинали самопроизвольно туннелировать от истока к стоку. Даже при «закрытом кране» ток продолжал течь, вызывая утечки и снижая энергоэффективность.

Кроме того, уменьшение площади затвора снижало эффективность управления каналом: транзистор переставал стабильно переключаться. Тогда казалось, что закон Мура — предсказание о постоянном росте плотности транзисторов — больше не работает.

Выход нашли в изменении формы транзистора. Инженеры отказались от плоской конструкции и перешли к трёхмерной архитектуре, что позволило увеличить контроль над током и продолжить миниатюризацию чипов.

FinFET: трёхмерный прорыв в мире транзисторов

Проблема планарных транзисторов заключалась в том, что затвор нависал над каналом и не обеспечивал достаточного контроля над током. Инженеры нашли изящное решение: они «вытянули» канал вверх, превратив его в тонкое ребро. Так появилась трёхмерная структура, где затвор обтекает канал с трёх сторон.

Эти выступы получили название плавников, а сама технология — FinFET (Fin Field-Effect Transistor). Любопытно, что это созвучно с английским словом Fin, что в переводе озаат плавник. Также ее называют непланарным транзистором. Такой переход позволил перейти к техпроцессу 22 нанометра и меньше, продлив жизнь закону Мура.
На практике это дало два ключевых преимущества:

Во-первых, утечки тока резко сократились, поскольку активная зона теперь располагалась на вершине «плавников», вдали от подложки.

Во-вторых, управляемость транзистора заметно улучшилась — затвор стал воздействовать на канал с трёх сторон, обеспечивая более точное переключение.

Современные процессоры нередко используют конструкции с несколькими такими выступами — по два или три на один элемент. Почти вся высокопроизводительная электроника сегодня построена на FinFET-архитектуре.

Однако и эта технология довольно быстро достигла своего физического предела. Невозможно бесконечно увеличивать высоту ребра или располагать слишком много «плавников» рядом — предел оказался ближе, чем ожидали инженеры. Эра FinFET продлилась примерно десятилетие: после PlanarFET, который господствовал с конца 90-х до начала 2010-х, именно FinFET стал основой микроэлектроники почти на десять лет. Но чтобы продолжить уменьшение размеров транзисторов, индустрии понадобилось новое решение — транзисторы с кольцевым затвором.

От FinFET к новым GAAFET: эра кольцевых транзисторов

В 2020 году компания TSMC объявила о переходе к разработке транзисторов нового поколения — GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Давайте разберёмся, что такое GAAFET и почему вокруг этой технологии столько внимания.

Если в FinFET затвор охватывает канал с трёх сторон, то в GAAFET он окружает его полностью – со всех четырёх. Инженеры фактически «разрезали» прежние ребра и превратили их в отдельные тонкие каналы, расположенные друг над другом. Это позволило увеличить количество активных зон по вертикали и обеспечить идеальный контроль над током.

Примечательно, что концепция GAAFET появилась ещё в 1988 году, но лишь современные технологии позволили довести её до промышленного уровня и массового производства. Благодаря этой архитектуре стало возможно перейти за рубеж 3 нанометров и добиться повышения эффективности и производительности процессоров.

В том же 2020 году Samsung представила свою собственную версию технологии — MBCFET (Multi-Bridge Channel FET). Однако, разница есть: вместо нанотрубок, как в классическом GAAFET, компания использует нанолисты. Они обеспечивают более устойчивый поток электронов и точный контроль над токами.

GAAFET считается логическим продолжением FinFET. Эти транзисторы быстрее и экономичнее, но их производство значительно сложнее и дороже. Первые массовые чипы на их основе должны были появиться в 2025 году и использоваться в новых моделях iPhone, а не только в суперкомпьютерах. На данный момент массовое производство чипов на 2-нм техпроцессе с архитектурой GAAFET началось в конце 2025 года. Однако в этом году в продаже ещё нет смартфонов с такими чипами: модели iPhone 17 используют 3-нм процессоры, аналогично чипы Qualcomm и MediaTek построены на 3-нм техпроцессе. Коммерческое использование 2-нм чипов Apple перенесла на 2026 год, и ожидается, что iPhone 18 Pro станет первым смартфоном с процессором на 2-нм техпроцессе.

Технология BSPDN: революция обратного питания

Если GAAFET — это следующий шаг в эволюции транзисторов, то новая технология BSPDN (Back Side Power Delivery Network) — настоящий переворот в архитектуре микросхем. Помимо транзисторов, в чипсете есть и другие критически важные элементы, особенно система питания. Прогресс в организации подачи энергии также позволяет совершить качественный скачок производительности и эффективности новых процессоров.

TSMC недавно представила техпроцесс A16, который сочетает кольцевые транзисторы с концепцией обратной подачи питания. Суть заключается в том, чтобы перенести питание на заднюю сторону пластины, освободив лицевую часть для сигнальных линий.

Ранее все соединения — и сигнальные, и питающие — располагались с одной стороны кристалла. Перенос питания позволяет уменьшить сложность разводки, увеличить плотность размещения элементов и улучшить характеристики чипа.

Эта идея настолько необычна, что её сравнивают с «двигателем, вынесенным на крышу автомобиля». Но именно благодаря этому решению TSMC смогла еще больше приблизить создание 1,6-нанометровых процессоров, а значит, фактически «перевернуть игру» на рынке микроэлектроники.

TSMC против Intel: гонка за питание

Внедрение технологии BSPDN (Back Side Power Delivery Network) стало настоящим «выходом за рамки» привычной архитектуры. С момента, когда Роберт Нойс создал первую интегральную схему, все ключевые элементы — питание, сигнальные линии и соединения — располагались на одной стороне пластины.

Пока это может звучать как инженерный эксперимент, но в реальности такая идея открывает путь к новым уровням производительности. Современные процессоры содержат миллиарды транзисторов, и каждый требует подключения к сложной сети питания и сигналов. Раздели сигналы и питание — сигналы сверху, питание снизу — и инженеры получают возможность упростить разводку и при этом увеличить плотность компонентов. Именно это и делает возможным появление 1,6-нанометровых чипов.

Что придумал Роберт Нойс и как TSMC меняет правила игры?

TSMC перевернула подход к проектированию транзисторов и создала технологию, которая может изменить саму структуру микроэлектроники. Идея не просто эволюционная — она позволяет строить чипы плотнее, эффективнее и быстрее. Ранее Роберт Нойс заложил основы интегральной схемы, а TSMC делает следующий шаг, применяя новые принципы в современных процессорах.

Ответ Intel и их RibbonFET и PowerVia

Intel представила собственные разработки — RibbonFET и PowerVia. Первая представляет собой версию GAAFET-транзистора в исполнении Intel, а вторая — аналог BSPDN, где питание также подаётся с обратной стороны пластины.

В отличие от TSMC Intel планирует внедрить обе инновации одновременно, что делает процесс крайне рискованным. Две архитектурные революции на одном этапе производства — это огромный риск, ведь вероятность ошибок возрастает вдвое. Но в то же время — это еще и шанс совершить мощный рывок.

Тем не менее, Intel видит в этом шанс вернуть лидерство. На конференции Innovation 2023 Патрик Гелсингер, тогда ещё генеральный директор компании, представил кремниевую пластину с чипами Arrow Lake по техпроцессу 20A (2 нанометра), где уже применялись технологии RibbonFET и PowerVia.

В декабре 2024 года Гелсингер ушёл в отставку по решению совета директоров из-за неудачных стратегических решений, приведших к падению доходов и акций компании. После его ухода временно руководили Дэвид Зинснер и Мишель Джонстон Холтаус, а в марте 2025 года новым CEO стал Лип-Бу Тан, ранее возглавлявший Cadence.

Сегодня между TSMC и Intel развернулась настоящая технологическая гонка за звание первой компании, внедрившей новые транзисторы в массовое производство. Однако, переход на такие технологии требует огромных затрат и сталкивается с производственными трудностями, поэтому многие разработчики пока продолжают использовать проверенные FinFET, обеспечивающие стабильную работу на сегодняшний день эталонными уровнями трёх и четырёх нанометров.

Зачем нужны такие технологии?

Вице-президент TSMC по развитию бизнеса Кевин Чжан объясняет: ускорение работ над техпроцессом A16 вызвано стремительным ростом спроса на AI-чипы. Современные ускорители искусственного интеллекта требуют высокой плотности транзисторов и низкого энергопотребления — именно эти параметры обеспечивает новая архитектура.

По сравнению с предыдущим поколением N2P, техпроцесс A16 обещает прирост производительности на 8–10% и снижение энергопотребления на 15–20%. Однако столь высокий уровень интеграции сильно усложняет производство, поэтому на первых этапах TSMC будет применять A16 лишь в специализированных процессорах для искусственного интеллекта и вычислительных ускорителей.

Проще говоря: в смартфонах такие решения появятся не раньше 2026 года, когда технология достигнет зрелости и массового производства. А то и позже…

Если подытожить:

• Выход транзисторов нового поколения GAAFET в 2025 году;
• Релиз полноценных 1,6-нанометровых чипов — вторая половина 2026 года.

Технология 1,6 нанометра от TSMC — это не просто очередное уменьшение размеров, а фундаментальный переход к новому уровню архитектуры. Перенос питания, кольцевые затворы и многослойные структуры открывают путь в будущее, где каждая молекула кремния используется с максимальной эффективностью.

Хотя первые такие чипы ещё не запущены в массовое производство, уже очевидно, что они изменят правила игры. И это не только прорыв TSMC — в гонку активно включилась и Intel, действуя по схожему пути, но с большей долей риска. Мы стоим у истоков новой эпохи микроэлектроники, где границы физики превращаются в поле инженерного искусства.

В рамках стратегического шага по укреплению своего бизнеса по производству чипов корпорация Sony объявила о плане приобрести около 27 гектаров земли в префектуре Кумамото, Япония. По сообщениям Bloomberg News и местных СМИ, компания намерена построить второй производственный завод, потенциальные инвестиции в который достигнут сотен миллиардов иен. Ожидается, что производство чипов на новой фабрике начнется в 2025 году.

Основная цель расширения производства — ускорить развитие Sony в конкурентном секторе бизнеса по производству микрочипов и удовлетворить растущий спрос на продукцию Sony Semiconductor Solutions на мировом рынке. В первую очередь речь идет о производстве датчиков изображения для смартфонов. Интересно, что первоначальный график предполагал закладку фундамента в 2024 году, а начало производства — в 2025 году. Видимо, компания решила ускориться.

Sony Semiconductor Solutions, дочерняя компания Sony Semiconductor, в настоящее время занимает первое место по доле доходов, владея 44% рынка. За ней следуют компании Samsung System LSI, выпускающая сенсоры под брендом ISOCELL, и OMNIVISION. Вместе эти три компании контролируют почти 83% мирового рынка датчиков изображения для смартфонов, сообщает IT Home.

Шимизу Теруши, президент Sony Semiconductor Solutions, признал существующий дефицит полупроводников и подчеркнул важность решения другой компании — TSMC — о создании завода в Кумамото. Теруши заявил, что это событие «повысило уверенность» в расширении каналов закупок. Следовательно, приобретение компанией Sony земельного участка в том же регионе можно рассматривать как стратегическую меру по расширению собственных производственных мощностей и обеспечению резервного пространства.

Инвестируя во второй завод в Кумамото, Sony стремится укрепить свои позиции в сфере производства чипов, эффективно удовлетворяя растущий спрос на высококачественные полупроводники.

В сети Интернет появились первые результаты тестирования обновленного флагманского чипсета Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3, который скорее всего будет представлен в конце года, а смартфоны на его базе начнут появляться уже в 2024 году.

Уже сейчас есть первые результаты тестов в приложениях Geekbench 6 и AnTuTu v9.

Новый чип от Qualcomm — Snapdragon 8 Gen 3 — засветился в тестах
В Geekbench 6 результат составил 2563 балла в однопоточном режиме и 7256 баллов при использовании всех ядер. В AnTuTu результаты чипа составили 1,71 миллионов баллов, а графический процессор набрал 850 000 баллов.

Snapdragon 8 Gen 3 имеет конфигурацию ядер “1+5+2” или “1+2+3+2” с главным ядром Cortex-X4 с частотой от 3,5 до 3,7 ГГц. Сообщается, что чипсет будет сделан на основе 3-нм теххпроцесса TSMC N4P.

Если сравнивать с другими актуальными чипами, то Apple A16 набирает в Geekbench 6 в однопоточном — 2499 баллов, а в многопоточном — 6275 баллов. Самый лучший результат в AnTuTu (не учитывая Gen 3) среди Android-устройств получил Asus ROG 7 Pro — 1,32 миллиона баллов.

То есть по первым данным, Snapdragon 8 Gen 3 не только является самым мощным чипом для Android-устройств, но и наконец выходит на уровень процессоров Apple.

Флагманские смартфоны линейки Galaxy S23 были представлены 1 февраля. Кроме 200-мегапиксельного сенсора в Galaxy S23 Ultra, любопытной особенностью всех устройств стал процессор Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy. Это кастомный чип, в котором чуть повышена частота главного ядра. Напомним, что ранее компания выпускала версию с чипом Snapdragon для североамериканского рынка, а в остальном мире были установлены собственные процессоры Samsung под названием Exynos. Однако, в 2023 году все координально изменилось, но главное: в прошлые годы компания Samsung производила флагманские чипы линейки Snapdragon на своих заводах. В 2023 году и это поменялось: Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy делается на заводах тайваньского TSMC.

До официальной презентации ходило несколько слухов о том, что чипы Snapdragon 8 Gen 2 для Galaxy будут производиться не TSMC, а Samsung. Однако теперь стало известно, что
чипсет для линейки Galaxy S23 полностью произведен TSMC. Это еще раз подтверждает, что чипсет был только разогнан, или, говоря иначе, «CPU и GPU стали быстрее» без каких-либо дополнительных модификаций.

Стоит отметить, что чипы производства TSMC ценятся выше. Тот же Snapdargon 8 Gen 1 производства Samsung оказался менее эффективным и греющимся, в результате чего многие пользователи испытывали определенные проблемы. В то же время TSMC были вынуждены срочно выпустить версию Snapdragon 8+ Gen 1, чтобы буквально «спасти» эту линейку чипов.