По данным The Elec, Samsung произвела пластины на новом техпроцессе DRAM 10a в марте и подтвердила работоспособность кристаллов в ходе тестирования. Это самый тонкий узел для производства оперативной памяти в истории Samsung и один из наиболее передовых в мире: переход за отметку 10 нм в DRAM-производстве считается технически одним из самых сложных шагов в полупроводниковой индустрии.
Время для новости удачное: Samsung только что зафиксировала рекордную прибыль за квартал на фоне ажиотажного спроса на HBM-память для ИИ-ускорителей. Теперь компания демонстрирует, что параллельно не останавливает технологическое развитие стандартной DRAM. Более тонкий техпроцесс означает больше чипов с одной пластины, меньшую себестоимость и потенциально более высокую плотность готовых модулей памяти.
