Компании IBM и Samsung объявили о новой разработке в области полупроводников, которая, по их мнению, позволит значительно продлить время автономной работы телефонов. Открытие компаний называется вертикальными транспортными полевыми транзисторами — Vertical Transport Field Effect Transistors (сокращенно VTFET) — и представляет собой новый подход к укладке транзисторов вертикально, а не горизонтально.
В VTFET ток течет по схеме «вверх-вниз», а не «из стороны в сторону», как в транзисторах, расположенных перпендикулярно поверхности чипа.
По сравнению с конструкцией FinFET, VTFET «имеет потенциал для снижения энергопотребления на 85 процентов», сообщили в IBM, открывая дверь для будущих усовершенствований, таких как «батареи для мобильных телефонов, которые могут работать без подзарядки более недели» вместо всего нескольких дней.
IBM и Samsung назвали глобальную нехватку чипов в качестве мотивации для дальнейших исследований и разработок в области полупроводников.
«Сегодняшний анонс технологии — это вызов условностям и переосмысление того, как мы продолжаем развивать общество и создавать новые инновации, которые улучшают жизнь, бизнес и уменьшают наше воздействие на окружающую среду», — сказал доктор Мукеш Кхаре, вице-президент по гибридным облакам и системам в IBM Research.
Учитывая ограничения, с которыми в настоящее время сталкивается отрасль по многим направлениям, IBM и Samsung демонстрируют приверженность к инновациям в области проектирования полупроводников и стремление к тому, что мы называем hard tech.
Компактный дизайн поможет разработчикам чипов в ближайшие годы, когда они будут пытаться уместить больше транзисторов на заданном пространстве, а также поможет уменьшить углеродный след энергоемких процессов, включая майнинг криптовалют и шифрование данных.
