Исследователи из Института микроэлектроники Китайской академии наук разработали предварительный техпроцесс для транзисторов класса 3 нм, используя только доступное оборудование глубокого ультрафиолета (DUV). Об этом изданию South China Morning Post рассказал главный инженер института Е Тяньчунь.
В основе метода лежит архитектура с круговым затвором (GAA), где затвор окружает канал тока со всех сторон и точнее его контролирует. Обычно такая точность требует EUV-сканеров, но авторы работы увеличили расстояние между транзисторами и сохранили нужные электрические характеристики, получив, по их словам, «3-нм эквивалент».
Сами разработчики и независимые эксперты подчёркивают: речь идёт именно о соответствии характеристик, а не о готовом серийном техпроцессе. Подход требует заметно больше производственных операций, чем EUV, а значит, обходится дороже и сложнее в реализации.
